Home | 中文 English
  • Home
  • About Us
  • Products
  • News
  • Success Cases
  • Services
  • Contact Us
  • SiC Ingots/Boule
  • SiC Substrate Wafer
  • Dummy SiC Substrate
  • Research SiC Substrate
  • Production SiC Substrate
  • Ultralow MPD SiC Substrate
  • As-cut SiC Wafer
  • SiC Epitaxial Wafer
Home > Products
  • 导电型&半绝缘型碳化硅晶锭晶棒

    长度:Min ≥15mm
    尺寸:4英寸及6英寸

    类型:导电N型/半绝缘SI型
    包装:单晶锭密封包装

  • 4&6英寸碳化硅晶棒晶锭

    长度:Min ≥15mm
    等级:测试D级/产品P级
    类型:导电N型/半绝缘SI型
    直径:100±0.25mm/150±0.2mm

     

  • 碳化硅同质外延片SiC-on-SiC

    尺寸:4英寸 6英寸
    外延: N-Type/ P-Type
    参数: Nitrogen/Aluminum
    外延厚度:0.2~50μm

Home<<1 2 3 4 >>Last
  • Home
  • About Us
  • Products
  • News
  • Success Cases
  • Services
  • Contact Us

M.P: +86-15366208370 ; +86-15366203573  
E-mail: kim@homray-material.com ; tina@homray-material.com
HMT Gallium Nitride (GaN) Wafer Website: www.ganwafer-hmt.com